Разное

Депозит акыл: Образовательный депозит AQYL

14.04.1983

Содержание

АО «Нурбанк» Образовательный вклад «AQYL»

Условия
Срок размещения 36 и 60 месяцев
Валюта вклада тенге
Минимальная сумма 3 МРП**, установленного на соответствующий финансовый год Законом о республиканском бюджете
Дополнительные взносы прием дополнительных взносов производится без ограничения минимальной и максимальной суммы взноса
Частичные изъятия не допускаются, за исключением случаев целевого изъятия средств образовательного накопительного вклада (перевод денег в организацию образования)
Премия государства — стандартная: +5 % годовых, (на фактически накопленный остаток суммы вклада по состоянию на 1 января при минимальном сроке накопления один год) но не более 100 МРП**.
— специальная: +7 % годовых, (на фактически накопленный остаток суммы вклада по состоянию на 1 января при минимальном сроке накопления один год) но не более 100 МРП**.
Выплата вознаграждения ежемесячная капитализация
Ставки вознаграждения по вкладу
Валюта 36 месяцев 60 месяцев
Базовая ГЭСВ*, % Базовая ГЭСВ*, %
KZT 8.65 9 8.65 9

— до «30» календарных дней с момента открытия вклада — вознаграждение не начисляется;
— от «31» и выше календарных дней с момента открытия вклада — вознаграждение начисляется по основной ставке Договора банковского вклада за фактическое количество дней нахождения вклада в АО «Нурбанк». При этом, если расторжение происходит по инициативе вкладчика, начисленная сумма премии от государства удерживается со вклада.

* — годовая эффективная ставка вознаграждения

** МРП на 2021 год составляет — 2 917 тенге

Ставки вознаграждения утверждены решением Комитета по управлению активами и пассивами №73-7 от 22.07.2020 г. (введены в действие с 01.08.2020 г.)

Интеллектуальный портал Akyl.kz :

Решили положить средства на депозитный вклад или открыть депозитный счет для зачисления заработной платы? Готовьтесь к своему первому посещению в выбранный банк, чтобы осуществить открытие депозита (оформление депозита). Для этого вам потребуется паспорт с наличием прописки и ИНН (идентификационный номер налогоплательщика). И конечно определенная сумма денег.

Открытие депозитов (оформление депозитов) – это одна из самых простейших банковских операций для вкладчика, хотя почему-то, когда задаешь вопросы о перечне необходимых документов, люди теряются. Так, читая курс лекций “О банках и банковской деятельности” для студентов-заочников филиала Академии международного бизнеса я задала два вопроса. Какие документы необходимо взять с собой в банк, и какие документы вы получите на руки после оформления депозитов (вкладов)? Ответ оказался удручающим. Из 40 присутствующих на лекции бизнесменов, только 2 человека смогли дать правильные ответы.

Итак, открываете входную дверь банка и первый, кто вас встретит (как правило) – это охранник банка. Вам необходимо пройти в операционный зал (отдел) банка, который работает с физическими лицами. Охранник вам может в этом помочь, возможно, он отправит вас к консультанту по залу. Главное ему доходчиво объяснить вашу задачу. В большинстве банков операционный отдел для обслуживания физических и юридических лиц располагается в разных залах, но бывают и совмещенные залы. Зашли в зал – осмотритесь. Где расположены окна менеджеров по обслуживанию клиентов и где окна кассы. Задача оформления вклада и приема денег в ряде банков тоже совмещена в одном окне. В каждом банке, обязательно на стендах размещена, в основном, вся интересующая вас на первом этапе информация по оформлению вклада. А именно: Виды депозитов данного банка, процентные ставки по депозитам, основные условия по размещению вклада и участвует ли банк в коллективной системе страхования вкладов (депозитов).

Открытие депозитов начинается с выбора устраивающего вас вида депозита (вклада) на основе предварительного расчета депозита по доходности. Обратите внимание на то, как производится начисление процентов. Процентные ставки на депозит, по которым предусмотрено ежемесячное начисление дохода, а также причисление полученного дохода к сумме вклада (капитализация) принесет вам дополнительные доходы, чего нет при простом начислении, без капитализации. Учтите это при выборе вклада. Затем подходите к окошку (иногда к столу), в котором производят оформление депозитов (вкладов).

Объясняете работнику банка, какой вид депозита (вклада) вы хотели бы открыть, на какой срок, в какой сумме, в какой валюте. Подаете паспорт для визуального просмотра. Вы можете задать работнику банка все интересующие вас вопросы по выбранному депозиту (вкладу). Возможно, вам сделают дополнительные разъяснения по отличительным условиям выбранного вклада (депозита). Затем выдадут два экземпляра проекта “типового договора” на данный вид вклада и предложат их заполнить. Образцы заполнения договора в зале должны быть. Внимательно ознакомьтесь с условиями, изложенными в проекте договора, и если они вас устраивают, то заполните, и подпишите договор. Если условия не устраивают – выбирайте другой вид вклада или другой банк! И все сначала. При заполнении договора вам обязательно потребуются паспортные данные и возможно ИНН. Кроме договора, работник банка предложит вам в специальной карточке оставить свой образец подписи. Все дальнейшие ваши подписи на банковских документах, в том числе и на договоре, связанные с работой депозитного счета, должны соответствовать этому образцу подписи. Образец подписи будет храниться в картотеке банка до закрытия вклада.

Депозитный договор оформлен, приходные ордера вами подписаны и вам выдается жетон для работы с кассой. Вы переходите к кассовому окну, в которое подаете жетон и деньги. Взамен вам должны выдать ваш экземпляр депозитного договора и сберегательную книжку (не всегда).

Оформление (открытие) депозита завершено. Однако, не выходите из операционного отдела, пока не проверите полученные документы:

  • так, ваш экземпляр договора на вклады (депозиты), должен быть заверен только круглой печалью банка или его филиала, предназначенной для проведения операций. Иногда отдельные работники банков или банки подменяют круглые печати фирменными штампами или уголками; Такой договор не имеет юридической силы. Необходимо вернуться к окну, в котором проходило оформление. Такая “ошибка” при оформлении договора встречалась в работе одного коммерческого банка. Оформляя договор на депозиты (вклады), я обратила внимание менеджера на отсутствие круглой печати. Работники долго бегали и разбирались — нужна печать или нет. Пытались доказать мне, что у них так принято. В конечном итоге ошибку признали и печать поставили. Печать может быть не поставлена даже по простой невнимательности работника банка и за этим необходимо следить.
  • Если вам не выдали сберкнижку, то еще раз откройте договор и убедитесь, что в депозитном договоре это условие оговорено. В соответствии с Гражданским кодексом на любые вклады (депозиты) физических лиц должна быть выдана сберегательная книжка, если соглашением сторон не предусмотрено иное. Сберегательная книжка является одним из обязательных вещественных доказательств, необходимых в случае судебных разбирательств. Так, например, при банкротстве банка или недееспособности вкладчика, при решении вопросов через суд, при отсутствии сберкнижки или соответствующей записи в договоре, в иске могут отказать.
Завершая свое повествование об оформлении депозитов (открытии депозитов) и депозитных счетов, желаю вам удачи в работе с банками и выборе оптимального варианта размещения капитала. Чтобы не ошибиться – просмотрите виды депозитов и процентные ставки в нескольких банках.

Источник информации: www.earticle.ru

 

О Банке

В декабре 2012 г. 100% акций Инвестиционного акционерного коммерческого банка «Акыл», который был создан 01.08.1994 г. и получил лицензию Национального банка Кыргызской Республики на проведение банковских операций №030 от 30.10.1995 года, приобрел новый акционер, гражданка Кыргызской Республики.

Акционером было принято решение развивать Банк, оказывать банковские услуги населению и юридическим лицам под брендом «CapitalBank».

Банк планирует развиваться как универсальный финансовый институт. На настоящий момент Банком установлены корреспондентские отношения с крупными банками России, Казахстана. Банк нацелен на расширение сети банков-контрагентов.

На сегодняшний день Банк располагает достаточно широким спектром банковских услуг. В дальнейшем мы будем активно расширять линейку банковских продуктов и увеличивать точки присутствия. Мы активно внедряем международные системы быстрых денежных переводов без открытия счета и планируем увеличивать их количество для удобства клиентов.

Мы активно разрабатываем кредитные продукты, ориентируясь на различные сегменты потребителей, успешно внедряем программу кредитования малого и среднего бизнеса.

Наш акционер, правление, сотрудники – Команда, которая уверенно смотрит в будущее и создает настоящее с помощью профессионального опыта, деловой хватки, умения находить разумные решения в самых различных ситуациях.

Постоянное стремление наших сотрудников к совершенству, отслеживание и внедрение последних разработок на рынке банковских услуг в работу Банка обеспечивает нашим клиентам сильную и надежную поддержку в развитии бизнеса и увеличении капитала.

Основные принципы работы сотрудников Банка:

  •  соблюдение законов Кыргызской Республики, международных соглашений, банковских стандартов и правил, этических норм;
  •  действие в интересах своих клиентов, акционеров и партнеров;
  •  гарантированное качественное обслуживание и конфиденциальность индивидуально для каждого клиента;
  •  информационная открытость: наши клиенты всегда могут оперативно узнать обо всех новостях Банка, получить информацию о финансовых результатах, предоставляемых услугах и тарифах;
  •  стойкое неприятие социально опасных и противозаконных проектов и программ, связанных с отмыванием денег и финансированием терроризма.

Миссия Капитал Банка – быть лучшими в своем деле, предоставлять клиентам эффективные финансовые решения, влекущие за собой выгоду и удобство для клиентов, формировать на рынке высокие стандарты сервиса и качества услуг и способствовать развитию предпринимательства в стране.

2021 Май | The Union of Banks of Kyrgyzstan

Фото: НБКР

В минувшую пятницу 21 мая 2021 года состоялся традиционный весенний банковский круглый стол организованный Национальным банком КР, с участием первых лиц ОЮЛ «Союз банков Кыргызстана», Национального банка КР, коммерческих банков, Межбанковского процессингового центра, Гарантийного фонда, а так же Государственной службы финансовой разведки при ПКР и Агентства по защите депозитов КР.

Read more »

Азамат Токбаев. 

Понимаю, легко  давать   советы, не принимая непосредственного участия  в практической реализации  тех или иных проектов или решений  и, что самое главное,  —  не беря на себя ответственность за конечный результат.  Тем не менее, я решил  написать  этот текст, но не как предложение  к  действию, а как  предложение  к  обсуждению  и  выработки  возможно  наиболее лучших и более рациональных  решений. Необходимость такого обсуждения,  безусловно,  уже давно назрела и это видно по многим публикациям на эту тему, появившимся в последнее время.

Предварительно  хочу обратить внимание  на  следующее: любые решения,  вырабатываемые  властью  в  экономике,  конечной целью имеют  только  одно: подъем и дальнейшее улучшение  уровня  жизни  граждан,  которые  содержат  эту власть. Другой альтернативы  этому  нет, —  это критерий  всех   решений  власти  в сфере экономики,  а не  какие — то там темпы  роста  ВВП, сокращение дефицита  бюджета или  снижение объема внешнего долга.  Нельзя добиться ни  того ни другого не третьего  не решив  проблему эффективности функционирования экономики и, как следствие, роста  реальных доходов и  зарплат граждан страны.

Read more »

ПЛАС-форум пройдет 1 июня 2021 года в столице Узбекистана Ташкенте при поддержке Центрального банка Республики Узбекистан.

Ведущие мировые эксперты банковской и платежной индустрии ритейла, телекома, исследовательские, консультационные компании, банковское сообщество Евразийского континента (Банки и МФО Узбекистана, СНГ и ЕАЭС), а также технологические и производственные компании обсудят развитие национальной платежной системы, перспективы цифровых валют центральных банков (CBDC), трансформацию торгового ритейла, киберустойчивость банкинга и многие другие актуальные вопросы.

В выставочной зоне будут представлены продукты лидеров мировых технологических компаний-вендоров, поставщиков решений и сервисов.

Приглашаем принять участие руководителей и специалистов банков и микрофинансовых компаний Кыргызской Республики! Участие бесплатное.

Read more »

Образовательный депозит: что это такое и как получить премию от государства

Образовательный депозит — это вклад с повышенной процентной ставкой, который может открыть любой казахстанец для себя или своего ребенка с рождения. Сделать это можно в четырех банках Казахстана. Какие особенности у образовательного депозита, расскажет проект о деньгах Нурфин.

Иллюстративное фото: pixabay.com: UGC

Деньги, накопленные с помощью депозита под названием «AQYL», можно потратить только на оплату образования. Помимо установленного банком стандартного вознаграждения до 9,8% годовых, государство ежегодно начисляет премию, которая составляет 5% от суммы вклада на момент премирования. Вклад при этом можно открыть только в тенге.

Начисленный от государства процент не должен превышать 100 МРП. Если в 2019 году МРП составляет 2 525 тенге, значит премия не может быть больше 252 тыс. Но для такого вознаграждения надо накопить минимум 5 млн.

Образовательный депозит «AQYL» на сегодняшний день можно открыть в четырех банках Казахстана:

  • Halyk bank
  • Jýsan Bank
  • Нурбанк
  • Банк ВТБ

Для открытия образовательного вклада нужен первоначальный взнос в размере 3 МРП, то есть 7 575 тенге, и удостоверение личности. Если депозит открывается на имя ребенка, то нужно его свидетельство о рождении.

«AQYL» можно оформить на срок от трех до пяти лет. Если за это время депозит не понадобится, договор будет продлен. Каждый раз при пролонгации будет устанавливаться новая процентная ставка, актуальная на данный момент. Премия от государства будет начисляться каждое первое января в течение двадцати лет.

Один нюанс: чтобы получить государственное вознаграждение, нужно чтобы вклад существовал более года. То есть, если сейчас открыть образовательный депозит, 5% от его суммы будут начислены 1 января 2021 года.

Есть категория граждан, которые могут рассчитывать на государственное вознаграждение в размере 7% годовых. Это инвалиды, сироты и дети из многодетных семей, которым еще нет 23 лет.

Иллюстративное фото: pixabay.com: UGC

Итак, представим, что вы открыли образовательный депозит «AQYL». Пополняете его по мере возможности, получаете проценты и премиальные. Пришло время поступать в вуз. Что делать дальше? Как доказать, что средства будут потрачены по назначению?

Всем этим процессом руководит Акционерное общество «Финансовый центр», созданное при министерстве образования и науки Республики Казахстан. Центр заключает договор о сотрудничестве не только с банками, но и с учебными заведениями. Кроме этого, он должен координировать каждый заключенный договор и защищать права вкладчика.

Оплата за обучение будет происходить безналичным переводом по заключенному всеми сторонами договору. Таким образом, накопленные вложения можно потратить на получение не только высшего, а также профессионально-технического образования, окончания магистратуры и даже языковых курсов.

Образовательный вклад «AQYL» при этом будет действовать дальше, его можно пополнять и снова тратить на «новые знания».

Иллюстративное фото: pixabay.com: UGC

Исключением являются зарубежные учебные заведения. На обучение в них можно потратить накопленные средства вместе с процентами и премией от государства. Но, как только пройдет оплата, на действующий вклад больше не будет начисляться государственное вознаграждение.

Другое дело, если вкладчик получил образовательный грант. Тогда он может оставить свой вклад для дальнейшего обучения, переоформить его на третье лицо или снять все деньги вместе с начисленными процентами и премиальными.

Если после оплаты обучения на вкладе остались средства, их также можно обналичить.

Такая государственная инициатива, как образовательный вклад, конечно, радует, ведь выгода очевидна для всех: гражданам легче накопить на образование, государству — увеличение количества квалифицированных работников.

Статистика: fincenter.kz: UGC

Выгодно спланировать отдых >>

Оригинал статьи: https://www.nur.kz/nurfin/personal/1817377-obrazovatelnyj-depozit-cto-eto-takoe-i-kak-polucit-premiu-ot-gosudarstva/

Клиенты AsiaCredit Bank пожаловались на проблемы: 15 ноября 2019, 17:50

Казахстанцы пожаловались на проблемы со снятием денежных средств в AsiaCredit Bank, передает корреспондент Тengrinews.kz.

Татьяна Будаева заявила, что банк усложнил процедуру выдачи наличных. По словам алматинки, для снятия денег клиентам нужно сделать заявку и, если ее одобрят, можно получить максимум 50 тысяч тенге в сутки.

«Но при мне были люди, которым не одобрили. И вот так только по 50 тысяч можно вытаскивать всю сумму. В банке на звонки не отвечают, по телефону узнать, одобрили или нет, нельзя. Только лично приезжать нужно. Безналичный перевод денег также не получается. Тут еще сложнее: заявка на перевод может висеть несколько дней и в итоге вернуться. Никто, конечно же, не предупредил, что могут быть проблемы. На странице банка безмятежность и жизнеутверждающие посты. Каждый день говорят, что, может, завтра все будет в порядке», — рассказала жительница Алматы.

Татьяна Будаева сообщила, что 12 ноября приехала в банк и ее заявка не была одобрена. Женщина не смогла получить 50 тысяч тенге.

Как сообщили в AsiaCredit Bank, они столкнулись с определенными сложностями, связанными с процессом реорганизации банка, «который на данный момент находится на стадии реализации и активно освещается в СМИ».

«События подобного рода имеют последствия в виде массового обращения клиентов. Соответственно, это влияет на скорость обработки таких обращений. Руководством банка принимаются все возможные меры по урегулированию данной ситуации. Все операции по платежным картам клиентов доступны. Исполнение платежных поручений происходит в порядке очередности», — сообщили в AsiaCredit Bank.

Отмечается, что во втором полугодии на банк не налагались какие-либо штрафы.

«На 1 октября общий объем просроченных кредитов составляет 11 миллиардов 848 миллионов тенге. Объем вкладов физических лиц составляет 23 миллиарда 413 миллионов тенге. Указанная информация находится в открытом доступе и с ней более детально можно ознакомиться на сайте Национального Банка», — добавили в AsiaCredit Bank.

В начале мая появилась информация о том, AsiaCredit Bank и Capital Bank Kazakhstan планируют присоединить к Tengri Bank. Позже стало известно, что три этих банка решили объединиться.

Отметим, что о проблемах со снятием денежных средств заявили также и клиенты Capital Bank Kazakhstan. Однако на официальный запрос редакции Тengrinews.kz в банке пока еще не ответили. Между тем Национальный Банк прокомментировал ситуацию вокруг финансовой организации. 

«Нацбанк, как регулятор, не предоставляет оценку финансового состояния отдельных банков. Любая оценка регулятора — положительная, либо отрицательная — может повлечь за собой негативные последствия: как для самого банка, так и для банковского сектора в целом. В случае нарушений банками норм законодательства, в том числе пруденциальных нормативов, Нацбанк принимает к банкам меры надзорного реагирования и санкции, предусмотренные законодательством. Информация о них размещается на сайте Национального Банка», — рассказали в финрегуляторе.

казиношто курорт тӱня Ямайка Нью-Йорк

Онлайн Мультибрендовый-оператор Soft2bet nolimit city дене модын кидым перена.Пытартыш серлаштыже нолимит поставщикда-влак улыт, кумдан палыме поставщик-влак дене перенат soft2bet партнерский книгагудо деке ушнен, нунын коклаште кыртмен ыштен.Модыш модыш дене кушко да писын тӱҥалыкташ soft2bet вияш да кугешнымашым интегрироватлаш перен портфель пырля классик-влакын нерген увертара.Тидын деч вара кажне ийыште соглашенийым модыш шу totally ice шоу лиеш, кунам нуно шке модышышт гоч да вашлийын кутырен келшыме платформын лондонышто стенд-влак пуымо жапыш портфель nolimit рекордым вӱда.Сеҥымаш кок nolimit кузе тидым ышташ, да тыге Soft2bet, кузе тыге лекте платформын вара увертарен soft2bet релиз ужат, могай нуно пытартыш сайтым пуыш, www.alfcasino.com икмынярже шке зарекомендовывать soft2bet ятыр сай вуйлатыше, кузе тыгай www.malinacasino.com, www.cadoola.com, www.casinia.com ынде сайтыште муаш лиеш soft2bet модын да пытартыш nolimit www.alfcasino.com.Оператор пайдаланышын лӱмжӧ кампанийым эртарыме йӧн nolimit city games, мушшаш манын лукмо, модын да модеш вӱдышӧ поставщик деке пураш лиймашым налын, кузе тыгай WiXX, Spin Casino Win, электротулым да нунын Октоберфест пытартыш релиз, Jolt Tesla.Малькольм Мицци, сити ужалыме отдел вуйлатыше нолимит, ешарыш: “Ме нимом каласен ом керт, сай деч моло, Soft2Bet нерген.Чын да тичмаш ончыктен нуно пеш пеҥгыде ала этикыште пашат сай лиеш, молан нуным ыштеныт.Перем тидым ме моткоч куаненна» казиношто курорт тӱня Ямайка Нью-Йорк. Палиович Ури, soft2bet операцийым тӱҥ директоржо увертарен: “улшо-влак дене ваш ыштен city эше ик онаеҥ soft2bet nolimit перенат, ме ӱшанена да нунын модмыжым пеш кӱкшын аклен, молан нуно поставщик отрасльыште тыгай кугу лийын, тудо кӱлмым эскера.Тыгак ме моткочак кугешнена да нуно модыш интеграций пайдалыкше простоты» компаний нерген City Nolimit City Nolimit-стокгольм платформын онлайн тиде-казиношто разработчики да модышыжо, контент сайлыка тӱня мучко оператор да суаплыкым темлат.Платформым да шке ноль спроектировать компаний дене ямдылыме, виян да куатле пуа движок, кугу устембалым компьютерыште кузе модеш тудын кугытын вашкылжым писын да социал шуктен кертеш, да тыге на мобильных устройствах.Тудым инноваций дене кылдалтше бэк-бонус офис факультет ден инструментыштым, мемнан партнерна-влак пуыш ик кевыт.Евро-тудо моткоч лывырге да оператор да йодеш шкет деке йодмаш лийын кертеш.Уш-акыл да талант дене мемнан усталык пашаште тыршыше кокла гыч иктыже эн ушан; айдемын, азартный модыш наҥгаят да технологий.Ме нунын портфолиом ышташ полша, шкешотан арверым кузе ыштыме да оператор казиношто весела модмаш, тыге лотерейым да оператор, октоберфест чӱктен, Космосыш аркада, WiXX, драме Кухньысо: Ушдымылык барбекю/Кукшывер-мания покер ден ставкыш.Алгаштарыше модмаш-влак деч налын кельвин эйр нерген пытартыш увер приложений казиношто пашам ышта world resorts.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Представляют ли влажные осадки локальный и региональный атмосферный перенос перфторированных алкильных веществ?

Перфторированные алкильные вещества (ПФАС) широко обнаруживаются в окружающей среде, включая удаленные морские районы. Способ транспортировки PFAS в удаленные морские районы представляет значительный научный интерес. Оценка распределения PFAS в пробах влажных осадков (то есть дождевых и снежных осадков), собранных на территории, охватывающей континентальный, прибрежный и открытый океан, позволит понять не только глобальный перенос, но и региональный перенос PFAS.Тем не менее, совершенно необходимо изучить репрезентативность и пригодность матриц влажных осадков, чтобы сделать выводы о транспортных PFAS. В этом исследовании мы собрали образцы влажных осадков, включая осадки, поверхностный снег и снежные керны, из нескольких мест в Японии, чтобы выяснить пригодность этих матриц для описания местного и регионального переноса PFAS. Дождевая вода, собранная в различные временные интервалы в рамках одного выпадения дождя, показала высокие потоки ПФАВ в первых 1 мм отложениях.Скорость поглощения ПФАС влажным осаждением варьировалась в зависимости от длины фторуглеродной цепи ПФАС. Потоки осаждения ПФАВ, измеренные для континентальных (Цукуба, Япония) и открытого океана (Тихий океан, 1000 км от побережья Японии), были схожими, порядка нескольких нанограммов на квадратный метр. Профили PFAS в «свежеотложенных» и «состаренных» (отложенных на несколько дней) образцах снега, взятых из одного и того же места, значительно различались. Свежеосажденный снег представляет собой текущие атмосферные профили PFAS, тогда как образец старого снега отражает секвестрацию локальных источников PFAS из атмосферы.Пост-осадочные модификации в профилях PFAS были очевидны, предполагая реакцию PFAS на поверхность снега / льда. Превращение химических веществ-предшественников, таких как фтортеломерные спирты, в перфторалкилкарбоксилаты очевидно на поверхности снега. Снежные керны использовались для оценки временных тенденций загрязнения ПФАС в отдаленных районах. Снег, собранный на разных глубинах из керна глубиной до 7,7 м на горе Татэяма (2450 м), Япония, показал самые высокие концентрации ПФАС в поверхностном слое, и концентрации уменьшались с увеличением глубины для большинства ПФАВ, за исключением перфторбутансульфоната ( ПФБС).Нисходящее движение хорошо растворимых в воде PFAS, таких как PFBS, после циклов таяния и замерзания снега было очевидно из анализа снежного керна.

Белковые свойства химического осаждения из паровой фазы алкилфункционального карбоксисиланового покрытия, охарактеризованного с помощью микровесов из кристаллов кварца

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.12.086Получить права и содержание

Основные моменты

Остаточную адсорбцию белков, загрязняющих SS, можно предотвратить, используя комбинацию гидрофобного инертного покрытия и промывочного буфера с неионным поверхностно-активным веществом.

Покрытие (Dursan ® ) состоит из химически осажденных из паровой фазы алкилфункциональных карбоксисиланов на SS.

Электростатическое взаимодействие, которое приводило к адсорбции белка на поверхности SS, было изменено на преимущественно гидрофобное через покрытие Dursan.

Покрытие не расслаивалось и сохраняло свои свойства после окислительной химической очистки.

Реферат

Устойчивые к белкам свойства химически осажденного из паровой фазы покрытия алкилфункционального карбоксисилана (Dursan ® ) сравнивали со свойствами аморфного фторполимерного покрытия (AF1600) и чистой нержавеющей стали марки 316L путем изучения не- специфическая адсорбция различных белков на этих поверхностях с использованием кварцевых микровесов с мониторингом рассеивания (QCM-D).Промывочный раствор с неионогенным поверхностно-активным веществом, додециловым эфиром полиоксиэтиленгликоля (или Brij 35), способствовал 100% удалению адсорбированного бычьего сывороточного альбумина (БСА), мышиного иммуноглобулина G (IgG) и нормальных белков плазмы человека с поверхности дурсана и адсорбированных нормальные белки плазмы человека с поверхности AF1600, тогда как эти белки оставались адсорбированными на голой поверхности из нержавеющей стали. Механическое напряжение в виде обработки ультразвуком продемонстрировало стойкость покрытия Dursan к механическому износу и не оказало отрицательного воздействия на способность покрытия предотвращать адсорбцию белков плазмы.В случае покрытия AF1600, обработанного ультразвуком, наблюдалось расслоение поверхности, которое в дальнейшем привело к адсорбции нормальных белков плазмы человека.

Ключевые слова

Карбоксисилановое покрытие

Белок

Адсорбция

Биообрастание

Дурсан

QCM-D

Рекомендуемые статьи Цитирующие статьи (0)

Полный текст

Copyright © 2015. Все права защищены.

Рекомендуемые статьи

Цитирующие статьи

Третичные алкилгалогениды в качестве активатора роста и ингибитора для осаждения нового атомного слоя низкоомного нитрида титана: AIP Advances: Vol 11, No. 1

ВВЕДЕНИЕ

Раздел:

ВыбратьНачало страницыABSTRACT ВВЕДЕНИЕ << ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДЕТАЛИ, РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ ВЫВОДЫ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ВКЛАД АВТОРОВ Нитрид титана (TiN), который хорошо известен своими превосходными свойствами, такими как высокая термическая стабильность, химическая инертность и низкое электрическое сопротивление, в промышленности является привлекательным материалом. 1–3 1. J. Westlinder, T. Schram, L. Pantisano, E. Cartier, A. Kerber, G. S. Lujan, J. Olsson и G. Groeseneken, IEEE Electron Device Lett. 24 , 550 (2003). https://doi.org/10.1109/led.2003.8165792. Н. А. Ланзилло, К. Мотояма, Х. Хуанг, Р. Р. Робисон и Т. Спунер, Appl. Phys. Lett. 116 , 164103 (2020). https://doi.org/10.1063/5.00054283. К. Л. Хуанг, К. Х. Лай, П. Х. Цай, Х. А. Хуанг, Дж. К. Линь, К. Ли, Electron. Матер. Lett. 9 , 593 (2013).https://doi.org/10.1007/s13391-012-2173-0 Тонкие пленки TiN широко исследуются и используются в качестве слоев диффузионного барьера, прокладок, металлов работы выхода и масок травления. 4–9 4. Y. J. Lee, Mater. Lett. 59 , 615 (2005). https://doi.org/10.1016/j.matlet.2004.09.0305. M. Darnon, T. Chevolleau, D. Eon, L. Vallier, J. Torres и O. Joubert, J. Vac. Sci. Технол., В 24 , 2262 (2006). https://doi.org/10.1116/1.23380486. М. Дженкинс, Д.З. Остин, Дж. Ф. Конли-младший, Дж.Fan, C.H. de Groot, L. Jiang, Y. Fan, R. Ali, G. Ghosh, M. Orlowski и S. W. King, ECS J. Solid State Sci. Technol. 8 , N159 (2019). https://doi.org/10.1149/2.0161910jss7. М. Кадосима, Т. Мацуки, С. Миядзаки, К. Сираиси, Т. Чикё, К. Ямада, Т. Аояма, Ю. Нара и Ю. Охжи, IEEE Electron Device Lett. 30 , 466 (2009). https://doi.org/10.1109/led.2009.20165858. M. Nahar, N. Rocklein, M. Andreas, G. Funston и D. Goodner, J. Vac. Sci. Технол., А 35 (1), 01Б144 (2017).https://doi.org/10.1116/1.49728599. S. A. Vitale, J. Kedzierski, P. Healey, P. W. Wyatt и C. L. Keast, IEEE Trans. Электронные устройства 58 , 419 (2011). https://doi.org/10.1109/ted.2010.2092779 Многие методы осаждения были разработаны для выращивания высококачественных пленок TiN. Плохое покрытие ступеней и конформность, возникшие в результате использования метода PVD, привели к развитию CVD и осаждения атомных слоев (ALD) в качестве альтернативных методов осаждения для формирования пленок с лучшей конформностью при увеличенной наноразмерной сложности интегральной схемы.Кроме того, постоянно улучшаются электрические свойства, которые являются одним из основных интересов TiN. Сообщалось, что ALD лучше, чем LPCVD, в достижении более низкого удельного сопротивления (LPCVD: ∼500 µ Ом см; ALD: 46 µ Ом см – 75 µ Ом см) в аналогичном диапазоне температур (> 450 ° C) без высокого вакуума ( 10 10. A. Kafizas, CJ Carmalt и IP Parkin, Coord. Chem. Rev. 257 , 2073 (2013). Https://doi.org/10.1016/j.ccr .2012.12.004 Осаждение эквивалентных пленок TiN методом PECVD также считалось менее желательным, чем ALD, из-за требований к высокой температуре и низкому вакууму. 10 10. А. Кафизас, К. Дж. Кармальт, И. П. Паркин, Coord. Chem. Ред. 257 , 2073 (2013). https://doi.org/10.1016/j.ccr.2012.12.004 Сравнение методов CVD и ALD показало, что наиболее экономически эффективным способом формирования пленок TiN высокого качества является метод ALD. Несмотря на различные преимущества использования метода ALD для осаждения тонких пленок, особенности постоянно увеличивающихся соотношений сторон налагают критические ограничения на механическую стабильность, такие как изгиб и однородность покрытия ступеней осаждаемой пленки. 11,12 11. A. Spessot и H. Oh, IEEE Trans. Электронные устройства 67 , 1382 (2020). https://doi.org/10.1109/ted.2020.296391112. Р. Г. Гордон, Д. Хаусманн, Э. Ким и Дж. Шепард, Chem. Vap. Deposition 9 , 73 (2003). https://doi.org/10.1002/cvde.2003

Более того, общая тенденция, когда удельное сопротивление пленки уменьшается с повышением температуры, наблюдалась в ALD.

10 10. А. Кафизас, К. Дж. Кармальт, И. П. Паркин, Coord. Chem. Ред. 257 , 2073 (2013).https://doi.org/10.1016/j.ccr.2012.12.004 Из-за строгих требований к изготовлению устройств более низкое удельное сопротивление TiN, образующегося при низкой температуре, также имеет решающее значение для уменьшения задержки RC, что является значительным препятствием для продолжалось уменьшение размеров электронных устройств. 11,13,14 11. A. Spessot и H. Oh, IEEE Trans. Электронные устройства 67 , 1382 (2020). https://doi.org/10.1109/ted.2020.296391113. М. Рамезани, С. Севери, А. Мусса, Х. Осман, Х. А. К. Тилманс и К. Д. Мейер, в Международной конференции по твердотельным датчикам, исполнительным элементам и микросистемам (IEEE, 2015), стр.576,14. S. Pancharatnam, G. Karve, J. Wynne, B. Mendoza, S. DeVries, R. N. Pujari, M. Breton, A. Carr, L. White, G. Rodriguez и W. Wang, IEEE Trans. Полуконд. Manuf. 32 , 374 (2019). https://doi.org/10.1109/tsm.2019.2945916 На протяжении многих лет тетрахлорид титана (TiCl 4 ) и аммиак (NH 3 ) широко использовались для ALD TiN. Одним из недостатков этого химического взаимодействия является образование побочных продуктов, таких как хлорид аммония (NH 4 Cl) и хлористый водород (HCl), оставляющих нежелательную примесь Cl в нитридных пленках, особенно при более низких температурах. 15,16 15. М. К. Синдер, Б. А. МакКул, Дж. ДиКарло, К. П. Трипп и У. Дж. ДеСистон, Тонкие твердые пленки 514 , 97 (2006). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.03.0116. M. Juppo, A. Rahtu и M. Ritala, Chem. Матер. 14 , 281 (2002). https://doi.org/10.1021/cm011150r Для термического ALD TiN необходима температура осаждения выше 370 ° C для достижения более низкой примеси Cl, поскольку NH 4 Cl может разлагаться до NH 3 и газообразного HCl. 17 17.К.-Э. Элерс, В. Саанила, П. Дж. Сойнинен, В.-М. Li, J. T. Kostamo, S. Haukka, J. Juhanoja и W. F. A. Besling, Chem. Vap. Deposition 8 , 149 (2002). https://doi.org/10.1002/1521-3862(20020704)8:4<149::aid-cvde149>3.0.co;2-f Помимо термического ALD, формирование пленки TiN с относительно низким удельным сопротивлением и Cl Сообщалось о примеси с использованием плазменной ALD. 18 18. К.-Э. Elers, J. Winkler, K. Weeks, S. Marcus, J. Electrochem. Soc. 152 , G589 (2005).https://doi.org/10.1149/1.1938108 Хотя высокая температура осаждения или плазма могут в достаточной степени уменьшить примеси Cl и удельное электрическое сопротивление, эти методы имеют ограничения из-за высокой стоимости эксплуатации и вызванных плазмой повреждений окружающих слоев. 19 19. J. Schmit. Surf. Пальто. Technol. 343 , 83 (2018). https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2017.11.013 Другой подход к решению проблемы примеси Cl заключается в замене TiCl 4 на безгалогенный прекурсор для осаждения TiN.В предыдущих исследованиях сообщалось об использовании металлоорганических соединений, таких как тетракисдиметиламинотитан (TDMAT), в качестве источников титана с NH 3 , чтобы избежать загрязнения Cl, которое может ухудшить характеристики утечки и надежность устройств со структурой металл – оксид – полупроводник. 20–23 20. M. Moriwaki, T. Yamada, Jpn. J. Appl. Phys., Часть 1, 40, , 2679 (2001). https://doi.org/10.1143/jjap.40.267921. Д.-Г. Парк и Т.-К. Ким, Тонкие твердые пленки 483 , 232 (2005).https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.12.00322. Ф. Филло, Т. Морель, С. Миноре, И. Матко, С. Мэтрежан, Б. Гийомо, Б. Шеневье, Т. Биллон, Microelectron. Англ. 82 , 248 (2005). https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.07.08323. Х.-К. Шин, Х.-Дж. Шин, Ж.-Г. Ли, Ю-З. Канг, Б.-Т. Ан. Chem. Матер. 9 , 76 (1997). https://doi.org/10.1021/cm960171w Однако эти пленки TiN имели ряд недостатков, таких как низкая плотность пленки и высокое удельное сопротивление из-за большого количества остаточного углерода в пленках. 24 24. J. Musschoot, Q. Xie, D. Deduytsche, S. Van den Berghe, R. L. Van Meirhaeghe и C. Detavernier, Microelectron. Англ. 86 , 72 (2009). https://doi.org/10.1016/j.mee.2008.09.036 Помимо основного прекурсора, также был исследован выбор реагента, отличного от NH 3 . Хотя сообщалось, что аллиламин является альтернативным источником восстанавливающего азота для осаждения пленок хорошего качества, наблюдались остатки углерода. 25 25. М. Джуппо, П.Ален, М. Ритала, Т. Саяваара, Дж. Кейнонен и М. Лескеля, Electrochem. Solid-State Lett. 5 , С4 (2002). https://doi.org/10.1149/1.1420925 Было также исследовано использование 1,1-диметилгидразина, чтобы показать лучшие свойства пленки, но содержание углерода было обнаружено в диапазоне 10 ат. %. 26 26. M. Juppo, M. Ritala, M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 147 , 3377 (2000). https://doi.org/10.1149/1.1393909 В последнее время ингибитор роста вызвал большой интерес из-за огромного потенциала в таких приложениях, как формирование рисунка снизу вверх и процесс осаждения тонких пленок с высоким соотношением сторон (HAR).Однако промышленное применение все еще ограничено из-за отсутствия подходящих материалов, которые могут проявлять ингибирование роста, избегая при этом включения примесей. 27–29 27. M. J. M. Merkx, S. Vlaanderen, T. Faraz, M. A. Verheijen, W. M. M. Kessels и A. J. M. Mackus, Chem. Матер. 32 , 7788 (2020). https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.0c0237028. S. N. Chopra, Z. Zhang, C. Kaihlanen, J. G. Ekerdt, Chem. Матер. 28 , 4928 (2016). https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b0103629. J. Soethoudt, Y. Tomczak, B. Meynaerts, B.T. Chan, A. Delabie, J. Phys. Chem. С 124 , 7163 (2020). https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.9b11270 Считается, что подходящий материал, наряду с разработкой новых процессов ALD, сможет решить проблемы, встречающиеся в ALD для TiN. Конкретно для этой работы любой подходящий материал, который увеличивает или уменьшает скорость роста более чем на 5%, в дальнейшем упоминается как активатор роста или ингибитор роста, соответственно.

В этой работе мы определили трет-бутилгалогенид как потенциальный материал для использования в ALD TiN. Также были разработаны новые процессы ALD с использованием трет-бутилгалогенида для получения пленок TiN с низким сопротивлением без увеличения примеси C. В зависимости от последовательности подачи трет-бутилгалогенида в процессе ALD могут быть продемонстрированы характеристики ингибитора роста или активатора роста. Свойства трех наборов тонких пленок, эталонного TiN (см. TiN), ингибитора-TiN и активатора-TiN, сравнивали, чтобы подтвердить эффективность трет-бутилгалогенида в улучшении уменьшения примесей, удельного электрического сопротивления, кристалличности и пленка конформности.Кроме того, ab initio расчеты были выполнены для выяснения вероятного механизма. Представленный подход с использованием трет-бутилгалогенида в процессе ALD показал многообещающие результаты для нанесения высококачественных тонких пленок TiN.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДЕТАЛИ

Раздел:

ВыбратьВверху страницы РЕЗУЛЬТАТЫ ВВЕДЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДЕТАЛИ << РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ Заключение ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ.5 г, 3,7 моль) медленно, по каплям, добавляли к смеси йодида лития (299,9 г, 2,2 моль) и трет-бутилового спирта (138,4 г, 1,9 моль) при 0 ° C в колбе. Реакционную смесь перемешивали в течение 2 ч, а затем сушили над безводным сульфатом натрия и перегоняли в вакууме , получая 296 г бесцветной жидкости: выход = 86%, температура кипения = 99 ° C и ядерный магнитный резонанс (ЯМР). (C 6 D 6 ) δ = 1,60 (9H, с).

Рост TiN: TiCl 4 (99,99%, Soulbrain Co., Ltd.), а в качестве газа-реагента использовали реагент NH 3 (99,9999%). Для всех осаждений использовалась коммерческая система ALD типа душевой лейки (Atomic Premium, CN1). Пленки TiN наносились на пластину SiO 2 толщиной 100 нм. Термический ALD TiN проводился в диапазоне температур от 360 ° C до 400 ° C. В этой работе один цикл осаждения был определен как 1 секунда воздействия источника, за которой следовали 2 секунды продувки N 2 и затем 3 секунды введения дозы реагента, а затем еще 3 секунды продувки N 2 .В течение всего времени напыления давление в камере поддерживалось на уровне ∼2 Торр. Для TiN ALD ингибиторного и активаторного типа была введена дополнительная стадия подачи алкилгалогенида с последующей продувкой N 2 до и после каждой стадии воздействия на источник, соответственно. Наряду с традиционным ALD, эти TiN ALD типа ингибитора и активатора показаны на рис. 1.

Характеристика TiN: Для измерения толщины пленки использовался спектроскопический эллипсометр Ellipso Technology Elli-SE-aM8 с регулируемым углом наклона.Толщины были дополнительно подтверждены просвечивающей электронной микроскопией (ПЭМ). Для характеризации пленок использовались пленки TiN толщиной 10 нм. Сопротивление листа измеряли при комнатной температуре с помощью четырехзондового измерения. Масс-спектрометрия вторичных ионов (ВИМС) была использована для определения концентрации примесей в пленках. Для сравнения концентраций Cl, I и C использовали среднее значение, рассчитанное от 50 с времени распыления до 150 с времени распыления. Измерения дифракции рентгеновских лучей (XRD) и отражательной способности рентгеновских лучей (XRR) проводили для анализа кристалличности и плотности пленки.Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) была использована для изучения состояния связывания и стехиометрии пленок. Чтобы исследовать улучшение конформности в пластине траншеи с высоким соотношением сторон 22: 1, сканирование ПЭМ использовалось для получения изображений поперечного сечения и вида сверху. Значения критического размера (CD) верхнего и нижнего отверстий составляют 85 нм и 65 нм соответственно.

Вычислительные методы. Все квантово-химические расчеты, обсуждаемые в этой работе, были выполнены с использованием пакета Gaussian16 на функциональном уровне DFT-D3 / B3LYP с коррекцией дисперсии. 30 30. М. Дж. Фриш, Г. В. Тракс, Х. Б. Шлегель, Г. Э. Скузерия, М. А. Робб, Дж. Р. Чизман, Г. Скалмани, В. Бароне, Г. А. Петерссон, Х. Накацудзи и др. , гауссовский 16, редакция C.01, Gaussian, Inc., 2016. Эффективный остовный потенциал базисного набора Los Alamos LanL2DZ использовался для всех атомов галогенидов, а базисный набор 6-31 + G (d, p) — для все остальные атомы. Термохимию регулировали в соответствии с экспериментальными условиями осаждения. Все начальные шаги включали оптимизацию геометрии с последующими расчетами частоты.

Возможности взаимодействия трет-бутилгалогенидов на гидроксилированной поверхности SiO 2 были изучены путем выполнения ab initio расчетов с коррекцией противовеса (CP) для устранения ошибок суперпозиции базисного набора (BSSE). Модель кластера Si (OH) 3 –O – Si (OH) 3 была использована для моделирования гидроксилированной подложки SiO 2 в качестве центров адсорбции. Геометрия этой модели кластера была оптимизирована без применения каких-либо ограничений. Получены и сопоставлены энергии Гиббса G начального состояния (до каких-либо взаимодействий) и различных конечных состояний.Изменения свободной энергии Гиббса (свободная энергия Гиббса адсорбции, ΔG адс ) были рассчитаны для предсказания спонтанности процессов адсорбции. Отрицательный ΔG адс указывает на то, что реакция является термодинамически благоприятной и спонтанной. Энергии диссоциации связи (BDE) молекул также были рассчитаны для прогнозирования тенденции адсорбционных характеристик. Все БДЭ указаны в единицах тепловой энергии.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

Раздел:

ВыбратьВверху страницы РЕЗУЛЬТАТЫ ВВЕДЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДЕТАЛИ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ << ЗАКЛЮЧЕНИЕ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ВКЛАДЫ АВТОРОВ ОТНОСИТЕЛЬНО алкил (X-алкил-алкил, R - третичный алкил, R-алкил, третичный алкил, R-алкил, третичный алкил, R-алкил, алкил-алкил) , или йод), были оценены для определения наиболее эффективной молекулы для использования ингибитора и активатора в процессе TiN ALD, как показано на рис.1. Основываясь на скрининге на рис. S1 (a), был выбран третичный бутилиодид из-за его высокой способности удалять большую часть примесей Cl. Кроме того, третичный бутилйодид потенциально может быть использован в качестве ингибитора роста на основании результатов на рис. S1 (b) с использованием трет-бутилхлорида. Рост за цикл (GPC) резко снизился с 0,32 Å / цикл до 0,02 Å / цикл при использовании трет-бутилхлорида. Как показано на фиг. S2, поведение ГПХ при насыщении и удельное электрическое сопротивление наблюдались, когда количество трет-бутилиодида было больше 2.0 мг / цикл; поэтому, чтобы обеспечить достаточную адсорбцию на подложке, количество трет-бутилиодида было зафиксировано на уровне 9,5 мг / цикл во время TiN ALD. GPC эталонного, ингибитора и активатора-TiN в зависимости от температуры осаждения показан на Рис. 2 (а). Во всех трех процессах ALD наблюдалось небольшое увеличение GPC с повышением температуры. При 360 ° C GPC эталонного TiN составлял 0,32 Å / цикл и немного увеличивался до 0,33 Å / цикл при 400 ° C. Когда была проведена ALD ингибиторного типа, значения GPC были уменьшены на 16% по сравнению с GPC эталонного TiN (с 0.32 Å / цикл до 0,26 Å / цикл при 360 ° C), тогда как при выполнении ALD активаторного типа наблюдалось небольшое увеличение GPC (∼7%) с 0,32 Å / цикл до 0,34 Å / цикл при 360 ° C. Помимо ГПХ, было исследовано важное свойство пленки, такое как удельное электрическое сопротивление как функция температуры, и результаты показаны на рис. 2 (б). Удельное электрическое сопротивление эталонного TiN составляло 410 мк Ом см при 360 ° C и уменьшалось до 320 мк Ом см при 400 ° C. Эта тенденция к снижению удельного электрического сопротивления с повышением температуры была обусловлена ​​содержанием в пленке примесей, предпочтительной ориентацией и кристалличностью, что хорошо согласуется с результатами других исследований. 31 31. J. Kim, H. Hong, K. Oh, C. Lee, Appl. Серфинг. Sci. 210 , 231 (2003). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00158-2 Было обнаружено, что для ALD TiN как ингибиторного, так и активаторного типа введение этой дополнительной стадии подачи трет-бутилиодида значительно снижает удельное сопротивление пленки. во всем исследованном температурном диапазоне. При 400 ° C удельное сопротивление пленки ингибитора и активатора TiN составляло 160 мкм, Ом · см и 140 мкм, Ом · см, соответственно.Сравнивая удельное электрическое сопротивление эталонного TiN при 400 ° C, было достигнуто заметное снижение удельного сопротивления на 49% и 55% для ингибитор-TiN и активатор-TiN, соответственно. Результаты показали, что процесс ALD активаторного типа был более эффективным в получении TiN с относительно низким сопротивлением при более высокой температуре осаждения. Изменения в GPC и резкое снижение удельного электрического сопротивления как ингибитора-TiN, так и активатора-TiN побудили нас к дальнейшим действиям. исследуйте и поймите изменения.Мы предложили вероятные механизмы изменений GPC и электрического сопротивления из-за использования трет-бутилиодида в ALD ингибиторного и активаторного типа. Для ALD ингибиторного типа трет-бутилиодид подается до исходного сырья TiCl 4 . Реакция элиминирования, вызванная основанием, происходит, когда трет-бутилиодид приближается к субстрату с концевым ОН, что приводит к образованию 2-метилпропена и иодистого водорода. 32 32. Т. Окуяма и Х. Маскилл, Органическая химия: механистический подход, (Оксфорд, Великобритания, 2014 г.), с.381. Сообщалось также, что 2-метилпропен и йод могут образовываться посредством разрыва связи C – I третичного бутилиодида. 33,34 33. К. В. Дж. Бол и К. М. Френд, Surf. Sci. Lett. 364 , L549 (1996). https://doi.org/10.1016/0039-6028(96)00769-834. Дж. Парк, Н. К. Ю, Д. Джанг, Э. Юнг, Х. Но, Дж. Мун, Д. Кил и Б. Шонг, Покрытия 10 , 712 (2020). https://doi.org/10.3390/coatings10080712 Для дальнейшего подтверждения наших предсказанных механизмов реакции ALD как ингибиторного, так и активаторного типа, были выполнены расчеты ab initio для изучения химических явлений на поверхности.Для ALD ингибиторного типа моделирование по теории функционала плотности (DFT) использовалось для определения термодинамически благоприятных структур адсорбированного трет-бутилиодида на кластере SiO 2 . Было предложено три случая: (1) физическая адсорбция трет-бутилиодида на кластере SiO 2 , (2) диссоциативная хемосорбция на кластере SiO 2 и (3) образование 2-метилпропена посредством реакции элиминирования. который затем физадсорбировался на кластере SiO 2 . На рис.На фиг.3 визуально показаны начальное и конечное состояния трет-бутилиодида на SiO 2 с концевым ОН. Свободная энергия Гиббса адсорбции ΔG адс для случаев 1, 2 и 3 составляла 81 кДж / моль, 37 кДж / моль и -18 кДж / моль, соответственно. Эти теоретические результаты показали, что случай 3, который имеет наиболее отрицательную свободную энергию Гиббса, был относительно более стабильным и термодинамически более благоприятным. Аналогичные тенденции и результаты были также получены при использовании трет-бутилхлорида вместо трет-бутилиодида, как показано на рис.S3. Считается также, что прочность связи R – X имеет фундаментальное значение для определения реакционной способности реакции элиминирования. 35 35. М. А. Фокс и Дж. К. Уайтселл, Органическая химия, (издательство Джонс и Бартлетт, Садбери, Массачусетс, США, 2004), с. 442. Расчеты ab initio , представленные в таблице I, показывают, что энергии диссоциации связи (BDE) трет-бутилгалогенидов уменьшаются по группе галогена от Cl до I.

ТАБЛИЦА I. Энергия диссоциации связи (BDE) и длина связи трет-бутилгалогениды между атомами углерода и галогена при 400 ° C.

Br
Трет-бутилгалогениды БДЭ (кДж / моль) Длина связи (Å)
C – Cl 296 9036 244 2,1
C – I 200 2,3
Ожидается, что как 2-метилпропен, так и адсорбированный йод уменьшат вероятность прилипания последующего прекурсора TiCl 4 , уменьшая GPC.Более того, адсорбированные йод и йодистый водород на подложке могут реагировать и заменять Cl на I, образуя связь Ti – I. Для ALD активаторного типа трет-бутилиодид подается после исходного сырья TiCl 4 . Предполагается, что связь Ti – I может быть образована путем прямого обмена лигандом между трет-бутилиодидом и группой –TiCl 3 или –TiCl 2 , адсорбированной на подложке. Образование связей Ti – I имеет ряд преимуществ с точки зрения реакционной способности с NH 3 . Сообщалось, что свободные энергии Гиббса для реакций осаждения TiN ниже для TiI 4 , чем для TiCl 4 , что приводит к относительно стабильному образованию пленки TiN. 36 36. M. Ritala, M. Leskelä, E. Rauhala, and J. Jokinen, J. Electrochem. Soc. 145 , 2914 (1998). https://doi.org/10.1149/1.1838736 Кроме того, соединения, содержащие галогеновые лиганды в порядке от наиболее до наименее реакционноспособных, — это I> Br> Cl, что предполагает кинетически более возможные реакции. 37,38 37. C.-H. Чен и М.-Д. Su, Chem. Евро. J. 13 , 6932 (2007). https://doi.org/10.1002/chem.20060173638. Т.С. Сильва, М.Д.С. Пирес, А.А. де Кастро, Л.С.Т. Ласерда, М. В. Дж. Роча, Т. К. Рамальо, Theor. Chem. В соотв. 137 , 146 (2018). https://doi.org/10.1007/s00214-018-2348-3 С введением дополнительной стадии подачи трет-бутилиодида в ALD, образование связей Ti – I, как ожидается, еще больше улучшит свойства пленки по сравнению с обычным ALD.

Кроме того, была исследована реакция побочного продукта, такого как адсорбированный йодид и йодистый водород из случая 3, с адсорбированной группой –TiCl 3 на субстрате.Предполагается, что этот путь реакции ALD ингибиторного типа, ведущий к образованию связей Ti – I, ограничен лигандным обменом между химически адсорбированным йодом на кластере (Si – I), связью H – I. , и –TiCl 3 . БДЭ H – I и Si – I, полученные из ab initio расчетов, составляли 310 кДж / моль и 280 кДж / моль соответственно. Аналогичное предположение применяется к пути реакции ALD активаторного типа, в соответствии с которым этапом, определяющим скорость, является обмен лигандом между C – I трет-бутилиодида и группой –TiCl 3 на субстрате.БДЭ C – I трет-бутилиодида, полученное из ab initio расчетов, составило 200 кДж / моль, что значительно ниже, чем у H – I и Si – I. Результаты показали, что образование связей Ti – I в ALD активаторного типа было относительно легче, чем в ALD ингибиторного типа, из-за более низкого BDE.

Исходя из предсказанных механизмов, на примеси Cl и I в пленках TiN может сильно влиять последовательность подачи трет-бутилиодида. Для исследования примесей пленки при различных температурах осаждения был проведен SIMS-анализ, результаты которого показаны на рис.4. По мере увеличения температуры осаждения с 360 ° C до 400 ° C уменьшение значения интенсивности Cl было очевидным для всех типов пленок TiN, как показано на рис. 4 (а) –4 (в). Причины уменьшения примеси Cl с повышением температуры связаны с термическим разложением NH 4 Cl и десорбцией HCl. По сравнению с эталонным TiN, значения интенсивности Cl ингибитора и активатора-TiN показали снижение более чем на 50% с подачей трет-бутилиодида. Примесь Cl в ингибиторе и активаторе TiN уменьшалась на 62% и 66% при 360 ° C, 63% и 72% при 380 ° C и 56% и 74% при 400 ° C, соответственно.Что касается интенсивности I, наблюдалось большое увеличение всех температур осаждения, как показано на рис. 4 (г) –4 (е). При 360 ° C относительно значения интенсивности I эталонного TiN, зарегистрированного при 49 с / с, соответствующие значения ингибитора и активатора TiN резко увеличивались на 97% и 180% соответственно. Относительно более высокое значение интенсивности I активатор-TiN означает большее образование связей Ti-I, что согласуется с нашими предположениями и расчетами ab initio , так что низкий БДЭ C-I трет-бутилиодида приводит к более легкому образованию Ti –I облигации.Аналогичные тенденции наблюдались и на рис. 4 (e) и 4 (f), что указывает на эффективность ALD типа ингибитора и типа активатора при более высоких температурах. В отличие от значительных колебаний значений интенсивности CI и I до и после подачи трет-бутилиодида, рис. 4 (g) показывает, что значения интенсивности C образцов при 360 ° C оставались относительно неизменными, в то время как значение интенсивности C для Активатор-TiN был немного ниже по сравнению с эталоном и ингибитор-TiN при повышении температуры, как показано на фиг.4 (з) и 4 (i). При использовании процесса ALD активаторного типа в данной работе было получено самое низкое удельное сопротивление TiN, осажденного при 400 ° C. Используя эти образцы, были исследованы такие свойства пленки, как стехиометрия и кристалличность. Как показано на фиг. S4 (a) и S4 (b), эталонный TiN и активатор-TiN, демонстрировали сходную стехиометрию пленки (N / Ti эталонного значения: 1,07 и N / Ti активатора-TiN: 1,00), что подтверждается результатами XPS. Согласно анализу XPS, концентрация Cl эталона и активатора-TiN составляла 0.37 ат. % и 0,07 ат. % соответственно, при этом наблюдается резкое уменьшение примеси Cl на 80%. Этот результат хорошо согласуется с анализом SIMS на рис. 4 (c). Концентрация I в обеих пленках составляла ∼0.01 ат. %, что является типичным пределом обнаружения XPS. По концентрации O 15 ат. % –20 ат. % наблюдалась в обеих пленках, что в основном связано с вкладом поверхностной гидратации. 18,39 18. К.-Э. Elers, J. Winkler, K. Weeks, S. Marcus, J. Electrochem. Soc. 152 , G589 (2005).https://doi.org/10.1149/1.193810839. Н. К. Понон, Д. Дж. Р. Эпплби, Э. Арак, П. Дж. Кинг, С. Ганти, К. С. К. Ква, А. О’Нил, Тонкие твердые пленки 578 , 31 (2015). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2015.02.009 Профили ВИМС по глубине O на рис. S4 (c) также показывают, что содержание кислорода в пленке оставалось неизменным до и после использования трет-бутиловой кислоты. йодид. Мы полагаем, что общее количество примеси галогена, включая Cl и I, в пленке TiN может быть уменьшено с использованием методов, представленных в этой работе.Чтобы исследовать начальный рост активатора-TiN, мы сравнили толщину как функцию цикла ALD, как показано на рис. 5 (а). Значения толщины были подтверждены ПЭМ, и результат эталонного TiN показал нелинейный наклон толщины около 1 нм. Однако при использовании процесса ALD активаторного типа наблюдалась линейная крутизна, указывающая на отсутствие задержки инкубации. Рисунки 5 (b) и 5 ​​(c) показывают, что осаждение TiN без инкубации с использованием ALD активаторного типа привело к относительно более толстому и более непрерывному росту TiN, что подтверждается изображениями ПЭМ, которые подразумевают, что может быть сформирован TiN высокого качества. за счет использования трет-бутилиодида в качестве активатора.Такое осаждение без инкубации может улучшить морфологию поверхности и кристалличность. Морфология поверхности пленки TiN играет важную роль в электрическом сопротивлении пленки. Пленка с большой шероховатостью поверхности доминирует над рассеянием электронов на поверхности, уменьшая длину свободного пробега электронов и, таким образом, увеличивая удельное электрическое сопротивление, особенно в очень тонких пленках. На рисунках 6 (а) и 6 (б) показаны изображения АСМ эталонного TiN и активатор-TiN соответственно. Среднеквадратичные значения шероховатости, измеренные с помощью АСМ, были определены на сканированной площади 10 × 10 µ м 2 .Эталонный TiN имеет шероховатость поверхности 0,47 нм. При использовании подачи активатора шероховатость поверхности снизилась до 0,42 нм. Регулируя количество подаваемого активатора, исследовали изменения плотности пленки. На рисунке 6 (c) показано, что плотность пленки увеличивается с увеличением количества подаваемого активатора в соответствии с измерениями XRR. Кроме того, также исследовалось изменение ориентации кристаллов пленки TiN с подачей активатора. На рисунке S5 показаны рентгенограммы пленок TiN толщиной 10 нм, осажденных при 400 ° C на подложку SiO 2 .Эталонная пленка TiN показала два дифракционных пика в положениях 2 θ = 37 ° и 43 °, которые соответствуют ориентациям (111) и (200). В случае пленки активатор-TiN наблюдалось небольшое увеличение дифракционного пика (200). Сообщалось, что пленка с более высокой интенсивностью дифракционного пика (200) имеет более низкое удельное электрическое сопротивление. 40–42 40. К. Ходжиер, Х. Савалони, Э. Шокраи, З. Дехгани и Н.З. Дехнави. J. Theor. Прил. Phys. 7 , 37 (2013).https://doi.org/10.1186/2251-7235-7-3741. Т.-С. Ага, Ж.-М. Ву и Л.-Дж. Ху, Тонкие твердые пленки 516 , 7294 (2008). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.01.00142. Л.-Дж. Менг и М. П. душ Сантуш, Surf. Пальто. Technol. 90, , 64 (1997). https://doi.org/10.1016/s0257-8972(96)03094-0 По сравнению с эталонным TiN эти результаты показывают, что при использовании подачи активатора пленка TiN имеет относительно меньшую шероховатость поверхности и более высокую плотность пленки. поскольку может быть сформирована относительно большая пиковая интенсивность (200).Помимо удельного электрического сопротивления и кристалличности, другим важным аспектом любых исследований методом ALD является конформность пленки, особенно когда пленка осаждается на подложку с высоким соотношением сторон (HAR). Чтобы оценить влияние трет-бутилиодида на конформное осаждение, был использован процесс ALD ингибиторного типа и пластина с канавкой с HAR 22: 1, как показано на фиг. S6. Толщина верхней стороны (t верхней стороны ) и нижней стороны (t нижней стороны ) была измерена с помощью ПЭМ, как показано на рис.7 (а), где верхняя и нижняя стороны находились на расстоянии 200 нм и 100 нм от верхнего и нижнего краев соответственно. Рисунок 7 (b) показывает, что t нижняя сторона / t верхняя сторона была значительно увеличена с 33% до 90%. Это большое увеличение наблюдалось, потому что после адсорбции ингибитора роста на поверхности верхней боковой канавки последующее воздействие TiCl 4 будет иметь тенденцию адсорбироваться относительно больше на поверхности нижней боковой канавки по сравнению с эталонным процессом TiN.Эта превосходная конформность пленки была достигнута за счет управления GPC на верхней и нижней сторонах подложки HAR. Существует градиент концентрации ингибитора роста, адсорбированного на субстрате (высокая концентрация адсорбированного ингибитора вверху), что приводит к контролируемому осаждению TiN (более низкий уровень GPC TiN вверху). Кроме того, мы полагаем, что влияние ингибитора роста на улучшение конформности становится более очевидным с увеличением соотношения сторон изображения.

пер- и полифторалкильные вещества (ПФАС)

Пер- и полифторалкильные вещества (ПФАС) — это семейство химикатов, используемых с 1950-х годов для производства пятностойких, водостойких и антипригарных продуктов.ПФАС широко используются в обычных потребительских товарах в качестве покрытий, упаковки для пищевых продуктов, верхней одежды, ковров, изделий из кожи, воска для лыж и сноубордов и т. Д.

Некоторые типы противопожарной пены, которые исторически использовались вооруженными силами США, местными пожарными службами и аэропортами для тушения пожаров нефти и бензина, могут содержать ПФАС.

PFAS в питьевой воде — важная проблема, возникающая в масштабах всей страны. Поскольку ПФАС растворимы в воде, со временем ПФАС из некоторых противопожарных пен, производственных площадок, свалок, разливов, атмосферных осадков с заводов и других выбросов могут проникать в поверхностные почвы.Отсюда PFAS может попадать в грунтовые или поверхностные воды и загрязнять питьевую воду. ПФАС также были обнаружены в реках, озерах, рыбе и дикой природе.

ПФАС остаются в окружающей среде в течение длительного времени и не ломаются. В результате ПФАС широко обнаруживаются в почве, воде, воздухе и пище. Некоторые ПФАС могут накапливаться в пищевой цепи. Воздействие может произойти, когда кто-то употребляет определенные продукты, содержащие ПФАС, ест продукты, загрязненные ПФАС, или пьет воду, загрязненную ПФАС.При проглатывании некоторые ПФАС могут накапливаться в организме, и со временем эти ПФАС могут увеличиваться до уровня, при котором могут возникнуть последствия для здоровья.

Исследования показывают, что воздействие достаточно повышенных уровней некоторых ПФАС может вызывать различные последствия для здоровья, включая влияние на развитие плода и младенцев, воздействие на щитовидную железу, печень, почки, определенные гормоны и иммунную систему. Некоторые исследования предполагают, что риск рака может также существовать у людей, подвергающихся более высоким уровням некоторых PFAS.Ученые и регулирующие органы все еще работают над изучением и более глубоким пониманием рисков для здоровья, связанных с воздействием PFAS, и MassDEP внимательно следит за развитием событий в этой быстрорастущей области.

(PDF) Анализ пятнистых отложений на тонкой бумаге и исследование ключевых факторов, влияющих на образование пятен димера алкилкетена

Отложения AKD, образовавшиеся на пластиковых пленках, показали типичные пики

негидролизованного AKD при 1848 и 1722 см − 1.

3. ВЫВОДЫ

Мы собрали и проанализировали пятна дефектов бумаги, чтобы определить

их состава и, таким образом, определили, как уменьшить появление дефектных пятен

на рулонах бумаги.Мы обнаружили, что

белых или o-белых пятен наполнителя и восковых полупрозрачных и

эллиптических пятен AKD составляли 27,3 и 34,4% от

дефектов, соответственно, и эти два типа дефектов содержали

негидролизованных AKD в качестве основной компонент. Тем не менее, мы наблюдали

, что отложения мокрой части бумагоделательной машины, полученные из

напорного ящика, проволочной части и прессовой секции соответствующей бумагоделательной машины

, содержали гидролизованный AKD в качестве компонента отложения

, что указывает на то, что AKD, обнаруженный в бракованных

пятен бумаги не было из машинных отложений.

Мы предположили, что коллоидное взаимодействие AKD с

химическими добавками было основным фактором, ответственным за увеличение количества точечных дефектов на бумаге на

, и, таким образом, PDT был использован

для изучения факторов, участвующих в осаждении AKD. Результаты

показали, что использование наполнителей и удерживающих добавок увеличивало осаждение AKD

. Среди тестируемых добавок для изготовления бумаги бентон-

ите вызывал наиболее существенное увеличение отложения AKD при испытании

PDT, которое приписывали его электростатической коагуляции

катионно заряженных эмульгированных частиц

AKD-I.Однако анионно заряженная эмульсия AKD-II

показала улучшенную стабильность и меньшее образование отложений

в присутствии бентонита.

4. МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ

4.1. Взятие дефектов и залогов. Во время процесса разматывания

точечные отверстия или дефекты бумаги, произведенной на бумагоделательной машине

, были вручную вырезаны с рулона и

собраны для анализа. Отложения на бумагоделательной машине

были получены из шести частей машины, а именно с кромки среза напорного ящика

, поворотов прижимного валка, сушильного цилиндра и

каландрового валка, вибросита и циркуляционной трубы

.

размерной печати.Эти отложения были получены во время проведения

регулярного технического обслуживания или операций кипячения

.

4.2. Химический анализ дефектов и отложений. Поэтапный процесс

выполнялся для анализа дефектного пятна

и обработки проб отложений. Таким образом, сначала образец

наблюдали под микроскопом, а затем органические компоненты

были последовательно проанализированы с помощью FT-IR (Nicolet 6700, Thermo

Fisher Scienti c, Runcorn, UK), пиролизного газового хроматографа —

raphy / масс-спектрометрия (ГХ / МС; Agilent Technologies Inc.,

Санта-Клара, США), нингидриновым тестом и тестом на окрашивание йодом

, а также неорганические компоненты анализировали с помощью сканирующей электронной микроскопии

/ энергодисперсионной спектроскопии (SEM —

EDS; SEM: S-2500C , Hitachi, Tokyo, Japan: EDS; Fisons,

Valencia, CA) для определения содержания золы и элементного анализа. Процесс

отложений были получены на бумагоделательной машине путем экстракции растворителем

с использованием спирта, ацетона или хлороформа, высушены

(осадки с высоким содержанием влаги были высушены вначале), измельчены

с порошком KBr, а затем гранулированы для FT- ИК-анализ, перед анализом

FT-IR.Поскольку основные неорганические наполнители, используемые в системе производства бумаги

, содержат определенные элементы, типы минеральных наполнителей

были проанализированы с помощью SEM-EDS. Пиролиз GC /

MS использовали для исследования присутствия AKD в образцах депозита

, следуя методу, описанному в литературе.

22,23

Нингидрин (Sigma-Aldrich, Сент-Луис, США), 2,2-дигидрич-

дрокси-1,3-индандион, меняется с красного на фиолетовый или синий в присутствии

белка и используется для определения того, загрязнен ли дефектный образец

биологической слизью.

24,25

Этот тест проводился следующим образом: раствор 0,14 г

NaOH и 0,43 г лимонной кислоты в 49 мл дистиллированной воды был

, смешанным с 49 г метилцеллозольва (Sigma-Aldrich, Saint

Louis, USA), содержащий 0,5 г нингидрина. К этому раствору

добавляли 0,57 г Activol DS (сульфонат алкилнафталина натрия

, Sigma-Aldrich, Сент-Луис, США) и перемешивали до растворения

. К образцу добавляли одну или две капли этого раствора нингидрина

, который затем помещали в сушильный шкаф при

100 ° C на 10 мин и наблюдали за изменением цвета.

4.3. Бумажные химикаты. Использовали катионную и анионную эмульсии AKD

, обозначенные как AKD-I (Taekwang Chemicals,

Eumseong, Корея) и AKD-II (Laton Korea, Gongju,

Korea), соответственно (таблица 5). Размеры частиц

и дзета-потенциал эмульсий AKD определяли

с использованием Malvern Mastersizer (Malvern Instruments Ltd,

Almelo, Нидерланды) и электрофоретического светорассеивающего спектрофотометра

(ELS Z-1000, Otsuka Electronics, Hiraka. —

т, Япония) соответственно.Два AKD были очень похожи по большинству свойств

, за исключением дзета-потенциала: AKD-I был положительно заряжен

, тогда как AKD-II был заряжен отрицательно.

Молотый карбонат кальция (GCC; Omya Korea, Jeongseon,

Korea) со средним размером частиц 1,1 мкм использовался в качестве наполнителя

. В качестве внутренней добавки использовали катионный крахмал (Samyang Genex, Инчхон, Корея) со степенью замещения

0,06.

Катионный полиакриламид (PAM; Percol63) и бентонит

(Hydrocol OTK; Ciba Specialty Chemicals Korea, Сеул,

Корея), поли (хлорид алюминия) (PAC), анионный PAM и

анионный микрополимер (Solenis, Корея) Кимчхон, Корея)

использовались в качестве внутренних добавок.

4.4. Экспериментальные методы. Тестер осаждения пека

(PDT), изображенный на Фигуре 10, был использован для исследования свойств осаждения

эмульсий AKD.

21

Для оценки склонности к осаждению

3 л насыщенной воздухом дистиллированной воды

помещали в PDT и циркулировали для образования микропузырьков воздуха

в циркуляционном резервуаре. Температуру циркулирующей дистиллированной воды

поддерживали на уровне 50 ° C для имитации состояния сырья

в бумагоделательной машине.

Пленка из полиэтилентерефталата (ПЭТ) (SKC, Сувон,

Корея) была прикреплена к черной пластиковой пластине, погруженной в циркуляционный резервуар

. Затем вводили насыщенную воздухом воду и

циркулировали в течение 2 мин для образования микропузырьков воздуха и позволяли пузырькам

прикрепиться к пленке ПЭТ. Затем в резервуар добавляли 100 ч. / Млн эмульсии AKD

и циркулировали в течение 20 мин.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *